氦離子氣相色譜儀在大規(guī)模集成電路（LSI）、超大規(guī)模集成電路（VLSI）和半導(dǎo)體器件制造中，用于氣相外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相淀積等工藝。

　　1.外延（生長(zhǎng)）混合氣在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長(zhǎng)一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽(yáng)能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。

　　2.化學(xué)氣體淀積（CVD）用混合氣CVD是利用揮發(fā)性化合物，通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法。依據(jù)成膜種類，使用的化學(xué)氣相淀積（CVD）氣體也不同。

　　氦離子氣相色譜儀適用于高純氫、氧、氬、氮、氦、氖、氪、氙、二氧化碳等氣體中痕量雜質(zhì)的檢測(cè)，儀器配備高靈敏度的氦離子化（PDHID）檢測(cè)器，采用中心切割與反吹技術(shù)，配置具有吹掃保護(hù)氣路的進(jìn)樣切換閥和進(jìn)口氦氣純化器，通過(guò)無(wú)死體積取樣或在線進(jìn)樣方式，一次性完成上述高純氣體中H2、O2（Ar）、N2、CH4、CO、CO2等常見雜質(zhì)或C1-C4等碳?xì)浠衔锏臋z測(cè)，檢測(cè)限達(dá)ppb級(jí)，重復(fù)性RSD≤1％。