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      氦離子氣相色譜儀適用范圍
      更新時間:2018-07-03   點擊次數:1997次
         氦離子氣相色譜儀適用范圍
        氦離子氣相色譜儀在大規模集成電路(LSI)、超大規模集成電路(VLSI)和半導體器件制造中,用于氣相外延生長、化學氣相淀積等工藝。
        1.外延(生長)混合氣在半導體工業中,在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法,生長一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,氧化硅膜淀積,氮化硅膜淀積,太陽能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。
        2.化學氣體淀積(CVD)用混合氣CVD是利用揮發性化合物,通過氣相化學反應沉積某種單質或化合物的一種方法,即應用氣相化學反應的一種成膜的方法。依據成膜種類,使用的化學氣相淀積(CVD)氣體也不同。
        氦離子氣相色譜儀適用于高純氫、氧、氬、氮、氦、氖、氪、氙、二氧化碳等氣體中痕量雜質的檢測,儀器配備高靈敏度的氦離子化(PDHID)檢測器,采用中心切割與反吹技術,配置具有吹掃保護氣路的進樣切換閥和進口氦氣純化器,通過無死體積取樣或在線進樣方式,一次性完成上述高純氣體中H2、O2(Ar)、N2、CH4、CO、CO2等常見雜質或C1-C4等碳氫化合物的檢測,檢測限達ppb級,重復性RSD≤1%。

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